マスキングペースト、その製造方法およびマスキングペーストを用いた太陽電池の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005234466
Publication number (International publication number)：2007049079
Application date： Aug. 12, 2005
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：

【課題】裏面型太陽電池の製造過程において、ドーピング領域の微細なパターニングを簡易的に行うことで製造費の低コスト化を図る。【解決手段】半導体基板にドーパントを拡散させ、ドーピング領域を形成する際に拡散制御用マスクとして用いられるマスキングペーストにおいて、少なくとも溶剤、増粘剤、および、SiO2前駆体および/またはTiO2前駆体を含むことを特徴とするマスキングペーストを提供する。また、前記マスキングペーストを基板にパターン形成した後、ドーパントを拡散させることを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板にドーパントを拡散させ、ドーピング領域を形成する際に拡散制御用マスクとして用いられるマスキングペーストにおいて、少なくとも溶剤、増粘剤、および、SiO2前駆体および/またはTiO2前駆体を含むことを特徴とするマスキングペースト。

IPC (3)：

H01L 21/22 , H01L 31/04 , H01L 21/266

FI (3)：

H01L21/22 T , H01L31/04 A , H01L21/265 M

F-Term (8)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB13 , 5F051CB18 , 5F051CB19 , 5F051CB21 , 5F051CB30 , 5F051DA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第4927770号公報明細書
半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-604469 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Cited by examiner (8)

半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-604469 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
特開昭46-001614
酸化ケイ素系ポリマーの製造方法および酸化ケイ素系被膜形成用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092028 Applicant：東亞合成株式会社

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