Pat
J-GLOBAL ID：200903078375602282

太陽電池の製造方法

Inventor：
殿村 嘉章

About 殿村 嘉章


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004028288
Publication number (International publication number)：2005223080
Application date： Feb. 04, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】 本発明の目的は、受光により発生した少数キャリアの寿命を長寿命化することにより優れた光電変換効率を有する裏面接合型太陽電池を、製造コストを増大させることなく製造する方法を提供することにある。【解決手段】 本発明は、シリコン基板の受光面ではない方の面にp型電極とn型電極の両者を有する太陽電池の製造方法であって、上記シリコン基板の受光面側と受光面ではない方の面側とに対して同時に不純物拡散層を形成するステップと、上記シリコン基板の受光面側の表面に対して、上記受光面側に形成された不純物拡散層の深さよりも深くなる深さまでエッチングすることにより上記受光面側に形成された不純物拡散層を除去するステップと、を含むことを特徴としている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板の受光面ではない方の面にp型電極とn型電極の両者を有する太陽電池の製造方法であって、 前記シリコン基板の受光面側と受光面ではない方の面側とに対して同時に不純物拡散層を形成するステップと、 前記シリコン基板の受光面側の表面に対して、前記受光面側に形成された不純物拡散層の深さよりも深くなる深さまでエッチングすることにより前記受光面側に形成された不純物拡散層を除去するステップと、 を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1)：
H01L31/04
FI (1)：
H01L31/04 A
F-Term (10)：
5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA10 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM