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J-GLOBAL ID:200903027713565157
磁気抵抗効果素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001068741
Publication number (International publication number):2002270921
Application date: Mar. 12, 2001
Publication date: Sep. 20, 2002
Summary:
【要約】【課題】出力信号電圧が大きく、そのばらつきも少ない大容量磁気記録装置、磁気再生装置向けの磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】強磁性層二重トンネル接合において、強磁性層1,3,5の磁性元素の割台が異なる、あるいはバリア層2,4の含有元素が異なるように構成することにより、ウエハー面内のMR比のバラツキを小さくし、大きな出力信号電圧を得る。
Claim (excerpt):
第1の強磁性層と、この第1の強磁性層上に形成された第1のバリア層と、この第1のバリア層上に形成された第2の強磁性層と、この第2の強磁性層上に形成された第2のバリア層と、この第2のバリア層上に形成された第3の強磁性層3の積層体からなり、前記第1、第2および第3の強磁性層の磁性元素の割合が異なることを特徴とした磁気抵抗効果素子。
IPC (7):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01L 27/105
FI (7):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
F-Term (21):
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BB02
, 5D034CA00
, 5D034DA07
, 5E049BA12
, 5E049DB02
, 5E049DB12
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-185479
Applicant:株式会社東芝
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改善された磁気抵抗比を有する磁気素子
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-569832
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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低切替磁界磁性トンネル接合
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-560586
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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スピンバルブ型磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた薄膜磁気ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-019120
Applicant:アルプス電気株式会社
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磁気メモリ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-072579
Applicant:株式会社東芝
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磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-187070
Applicant:株式会社東芝
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磁気センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-062201
Applicant:富士通株式会社
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強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-053974
Applicant:富士通株式会社
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薄膜シールド型磁気再生ヘッド装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-566844
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
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磁気抵抗記憶素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-395072
Applicant:松下電器産業株式会社
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Cited by examiner (4)