プラズマCVD装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995288117
Publication number (International publication number)：1997106899
Application date： Oct. 11, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【目的】プラズマ発生電極とプラズマと処理室内壁との相対電位関係を最適にして、経時変化の非常に少ない安定した低圧高密度プラズマを得る。【構成】 1ターンループの形状をしたプラズマ発生電極61の一方の導入端子62を高周波電源52に接続し、他方の導入端子63を第1のコンデンサ81を介して接地する。四塩化チタンを毎分20ミリリットル、水素ガスを毎分30ミリリットル、窒素ガスを毎分10ミリリットルの流量で処理室20に導入し、処理室20内の圧力を約1Paに設定し、基体21の温度を450°C〜600°Cに設定する。高周波電源52の出力を2.5kWとして低圧高密度のプラズマを発生させると、窒化チタンの膜が毎分約30nmの速度で堆積する。

Claim (excerpt)：

処理室と、処理室内を真空に排気する排気機構と、原料ガスを処理室に導入するガス導入機構と、処理室内に配置されたプラズマ発生電極とを備え、プラズマ発生電極に電力を供給してプラズマを発生させることにより処理室内の基体上に膜を堆積させるプラズマCVD装置において、前記プラズマ発生電極は二つの端子を備え、一方の端子は高周波電力供給源に接続され、他方の端子は電極電位制御機構を介して接地され、さらに、前記処理室が内壁電位制御機構を介して接地されていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 A , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146332 Applicant：大見忠弘
特開平4-315797
特開平2-235332

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