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J-GLOBAL ID：200903007658989073

薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

Inventor： 山田 直樹 ,  田中 伸一
Applicant, Patent owner： 旭電化工業株式会社
Agent (1)： 羽鳥 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004175122
Publication number (International publication number)：2005350423
Application date： Jun. 14, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】 亜鉛を含有する薄膜の形成に適した、亜鉛化合物を含有する薄膜形成用原料を提供すること。【解決手段】 25°Cで液体であるビス(β-ジケトナト)亜鉛化合物を含有してなる薄膜形成用原料。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

25°Cで液体であるビス(β-ジケトナト)亜鉛化合物を含有してなる薄膜形成用原料。

IPC (3)：

C07C49/92 ,  C07F3/06 ,  C23C16/18

FI (3)：

C07C49/92 ,  C07F3/06 ,  C23C16/18

F-Term (11)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048VA66 ,  4H048VB10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA21 ,  4K030EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特公平6-64738号公報
  
• 付加物、該付加物の製造方法及び薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-151083   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 酸化亜鉛光触媒薄膜の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-044216   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 国際公開第98/46617号パンフレット
  

Cited by examiner (2)

• 化学気相成長用銅原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-370087   Applicant：旭電化工業株式会社
• ルテニウム系薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-016114   Applicant：旭電化工業株式会社