半導体製造方法および装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996125593
Publication number (International publication number)：1997312278
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】被処理物の処理における終点誤検出を防止する。【解決手段】ベルジャ4によって覆われかつ半導体ウェハ1にドライエッチングが行われるエッチング処理部5と、マイクロ波6aを発振してプラズマ光7を発生させるマグネトロン6と、ドライエッチングを終了させる終点検出手段3とからなり、終点検出手段3によって、ドライエッチング時のプラズマ光7に含まれる所定波長光7aの発光強度を監視しかつ前記発光強度の予め設定した第1設定値から第2設定値に変化する時間が、予め設定した終点検出時間以上になった時点でドライエッチングを終了させる。

Claim (excerpt)：

被処理物に所望の処理を行う際に、前記被処理物における処理状態の予め設定した第1処理状態から第2処理状態に変化する時間が、予め設定した終点検出時間以上になった時点で前記処理を終了することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G01N 21/66 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F , G01N 21/66 , H01L 21/306 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

エッチング終点判定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-334952 Applicant：株式会社日立製作所
特開2043-018062
プラズマ処理の終点検出方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031702 Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社

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