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J-GLOBAL ID：200903007702285003

有機装置の電気性質を向上する方法

Inventor：
鄭 翔遠

About 鄭 翔遠

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何 家充

About 何 家充

, 
黄 文奎

About 黄 文奎


Applicant, Patent owner：
財団法人工業技術研究院

About 財団法人工業技術研究院


Agent (5)： 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004210177
Publication number (International publication number)：2005322870
Application date： Jul. 16, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
【課題】 有機薄膜トランジスタの電気性質を向上するための有機装置の電気性質を向上する方法の提供。【解決手段】 ゲート及び絶縁層が形成された装置基板を提供し、有機半導体高分子材料、有機絶縁高分子材料、導電粒子と溶剤を混合し有機溶液を形成し、該有機溶液を使用して有機半導体層を該絶縁層の上に形成する。そのうち、該有機半導体高分子材料は、ポリ-3-アルキルチオフェン(P3AT)より選択し、該有機絶縁高分子材料はポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等の相互に類似の材料より選択し、該導電粒子はカーボンナノチューブ(CNT)、カーボン60及びナノ銀粒子等の相互に類似の導電材料より選択する。該溶剤はキシレン、トルエン及びTHF等の相互に類似の溶剤より選択する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
有機薄膜トランジスタの電気性質を向上するのに用いられる有機装置の電気性質を向上する方法において、 ゲート及び絶縁層が形成された装置基板を提供する工程、 有機半導体高分子材料、有機絶縁高分子材料、導電粒子と溶剤を混合し有機溶液を形成する工程、 該有機溶液を使用して有機半導体層を該絶縁層の上に形成する工程を具え、 そのうち、該有機半導体高分子材料は、ポリ-3-アルキルチオフェン(poly3-alkylthiophene;P3AT)より選択し、該有機絶縁高分子材料はポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)より選択し、該導電粒子はカーボンナノチューブ(CNT)、カーボン60及びナノ銀粒子より選択し、該溶剤はキシレン、トルエン及びTHFより選択することを特徴とする、有機装置の電気性質を向上する方法。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (2)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28
F-Term (16)：
5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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