有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002288538
Publication number (International publication number)：2004128124
Application date： Oct. 01, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】スイッチング動作におけるon/off比が高く、リーク電流が少ない有機薄膜トランジスタを実現する。【解決手段】ゲート絶縁層を、封孔処理した陽極酸化膜で構成するか又は陽極酸化膜とポリマーや無機酸化物からなる絶縁層とで構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体からなる活性層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極を構成する金属材料の陽極酸化膜及び該陽極酸化膜上に形成された絶縁膜を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L29/786 , C23C28/00 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618B , C23C28/00 E , H01L21/316 T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617W , H01L29/28

F-Term (81)：

4K044AA06 , 4K044AB10 , 4K044BA11 , 4K044BA12 , 4K044BA13 , 4K044BA18 , 4K044BA21 , 4K044BB05 , 4K044BB06 , 4K044BB10 , 4K044BC14 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA15 , 4K044CA17 , 4K044CA53 , 5F058AC05 , 5F058AD02 , 5F058AD10 , 5F058AF02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF70 , 5F058BJ10 , 5F110AA05 , 5F110AA12 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-274283 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-240758 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-153427

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