薄膜形成装置および薄膜形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋山敦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998202882
Publication number (International publication number)：2000017457
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、高屈折率から低屈折率までの中間屈折率の薄膜を形成するに際し、プラスチック材上のハードコート膜に、耐擦傷性が向上し、任意な屈折率の成膜が可能で、プラスチック材との密着力の向上を目的とする薄膜形成が可能な薄膜形成装置と薄膜形成方法を提供する。【解決手段】薄膜形成装置Sは、真空装置11と連結された真空容器10と、この真空容器10内で基板を保持し回転機構21により回転される基板保持器20と、プラズマCVD装置30と、スパッタ装置40と、を備え、プラズマCVD装置30と、スパッタ装置40とを同一の真空容器10内に配置させ、プラズマCVD装置30とスパッタ装置40により基板に屈折率を制御可能な薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

真空装置と連結された真空容器と、該真空容器内で基板を保持し回転機構により回転される基板保持器と、プラズマCVD装置と、スパッタ装置と、を備え、前記プラズマCVD装置と、前記スパッタ装置と、を同一の真空容器内に配置させ、前記プラズマCVD装置と前記スパッタ装置により前記基板に屈折率を制御可能な薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5)：

C23C 28/04 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , G02B 1/10 , C23C 14/34

FI (5)：

C23C 28/04 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C23C 14/34 T , G02B 1/10 Z

F-Term (59)：

2K009AA15 , 2K009CC03 , 2K009CC42 , 2K009DD03 , 2K009DD04 , 2K009DD09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA52 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BC02 , 4K029BC07 , 4K029BD06 , 4K029CA05 , 4K029CA08 , 4K029CA13 , 4K029DA02 , 4K029DA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030BB13 , 4K030CA07 , 4K030CA11 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030GA06 , 4K030HA03 , 4K030HA08 , 4K030HA14 , 4K030HA15 , 4K030JA02 , 4K030JA05 , 4K030JA15 , 4K030KA02 , 4K030KA12 , 4K030KA25 , 4K030KA28 , 4K030KA34 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K044AA16 , 4K044AB05 , 4K044AB10 , 4K044BA12 , 4K044BA14 , 4K044BA21 , 4K044BB02 , 4K044BB15 , 4K044BC05 , 4K044BC06 , 4K044BC14 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-298153
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196097 Applicant：ソニー株式会社
誘導結合型プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-172353 Applicant：東芝機械株式会社

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