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J-GLOBAL ID：200903069461760622

リモートプラズマ型プラズマ処理装置

Inventor：
真白 すぴか

About 真白 すぴか


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996329167
Publication number (International publication number)：1998154699
Application date： Nov. 25, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 絶縁破壊やイオン衝撃のダメージを被処理物で発生させずに、微細なパターンのエッチングや膜堆積を十分な処理速度で処理できるリモートプラズマ型プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ発生空間内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置11,12,13,17,21と、プラズマ発生装置に連続したプロセスチャンバ15内に配置されかつ被処理物14を載置するホルダ16と、このホルダに対してプラズマ発生用とは別の高周波電力を印加する高周波電源18を備え、ホルダに供給される高周波電力の周波数が好ましくは1.0MHz以上1.8MHz以下となるように設定される。
Claim (excerpt)：
プラズマ発生空間内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生装置に連続した真空容器内に配置されかつ被処理物を載置する被処理物ホルダと、この被処理物ホルダに対してプラズマ発生用とは別の高周波電力を印加する高周波電力供給手段を備えてなるリモートプラズマ型プラズマ処理装置において、前記被処理物ホルダに供給される前記高周波電力の周波数が0.8MHz以上2.0MHz以下であることを特徴とするリモートプラズマ型プラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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