細孔の製造方法、並びに該製造方法により製造された細孔および該細孔を有する構造体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999344134
Publication number (International publication number)：2001105400
Application date： Dec. 03, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】直線性に優れ、規則正しく配置された細孔、該細孔を有する構造体の製造方法を提供する。【解決手段】被加工物に粒子線を照射する工程、前記粒子線を照射した被加工物を陽極酸化することにより前記被加工物に細孔を形成する工程を有する細孔の製造方法、及び該細孔を有するナノ構造体の製造方法。

Claim (excerpt)：

被加工物に粒子線を照射する工程、前記粒子線を照射した被加工物を陽極酸化することにより前記被加工物に細孔を形成する工程を有することを特徴とする細孔の製造方法。

IPC (4)：

B81C 5/00 , B23K 15/00 508 , B23K 15/08 , C25D 11/16 301

FI (4)：

B81C 5/00 , B23K 15/00 508 , B23K 15/08 , C25D 11/16 301

F-Term (8)：

4E066AA02 , 4E066BA02 , 4E066BA06 , 4E066BA13 , 4E066BB02 , 4E066BC02 , 4E066CA00 , 4E066CB10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

量子効果装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-230837 Applicant：株式会社東芝
アルミニウム材の表面処理方法及び耐摩耗性アルミニウム材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-249015 Applicant：大阪府, 株式会社日本アルミ
多孔性陽極酸化アルミナ膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-229314 Applicant：日本電信電話株式会社

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Cited by examiner (6)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-230837 Applicant：株式会社東芝
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Enhancement and suppression of the formation of porous silicon

Cited by examiner (1)

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