量子効果装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994230837
Publication number (International publication number)：1996097398
Application date： Sep. 27, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】急峻な量子ポテンシャル障壁を有する量子細線または量子ドットアレイを実現し、安定した構造によりシリコンベースの広範な応用範囲を有する量子効果装置を提供する。【構成】 n型半導体量子細線または量子ドットを多孔質半導体のポテンシャル障壁で挟む構造を形成する。また、多孔質半導体障壁を酸化することにより面内で半導体量子細線またはドットを半導体酸化膜からなる障壁層、多孔質半導体酸化膜からなる障壁層で囲む2重障壁構造を有する量子効果装置。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に、量子効果を呈する程に微細に形成された量子細線或いは量子ドットと、この量子細線或いは量子ドットの界面に形成された多孔質半導体とを具備することを特徴とする量子効果装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-060127
微構造体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-056680 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042771 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page