ナノ粒子増感ナノ構造太陽電池

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：鮫島睦 , 田村恭生 , 言上惠一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008555499
Publication number (International publication number)：2009532851
Application date： Feb. 15, 2007
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：

本発明は、概して光起電装置若しくは太陽電池の分野に関する。より詳細には、本発明は、異なるサイズ及び組成のナノ粒子を含む光活性ナノ粒子に接続された金属酸化物ナノ構造体を用いて作製された光起電装置に関する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方が太陽光に対して透明な第1及び第2の電極と、上記第1電極に電気的に接続され、電子伝導性ナノ構造体を含む第1層と、上記電子伝導性ナノ構造体に近接する、感光性ナノ粒子を含む光活性層と、上記光活性層及び上記第2電極に接続されるホール伝導層と、を備える光起電装置。

IPC (5)：

H01L 51/42 , C01G 23/047 , C01G 23/04 , H01L 29/06 , H01L 29/221

FI (5)：

H01L31/04 D , C01G23/047 , C01G23/04 C , H01L29/06 601N , H01L29/221

F-Term (8)：

4G047CA02 , 4G047CB04 , 4G047CB09 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G047CD05 , 5F051AA09 , 5F051AA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-311062 Applicant：セイコーエプソン株式会社
金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて分光増感されたナノ-多孔質金属酸化物半導体
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-528514 Applicant：アグフア-ゲヴエルト
金属酸化物を用いて分光増感された多孔質金属酸化物半導体
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-528513 Applicant：アグフア-ゲヴエルト

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