半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)： ▲柳▼川信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239627
Publication number (International publication number)：1998092778
Application date： Sep. 11, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】大型のシリコンウエハを使用する際のシリコンウエハの割れや欠けを低減し、シリコンウエハの裏面から良好なオーミックコンタクトを得ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】工程S1,S2で拡散済みのシリコンウエハを研磨し、工程S3でそのシリコンウエハの裏面にAu薄膜を蒸着し、工程S4でそれらに熱処理を施してシリコンウエハの裏面に金シリサイド層を形成する。工程S5でこの金シリサイド層の上にAu薄膜層を蒸着し、工程S6でそのAu薄膜層の上にエポキシ樹脂製の導電性テープを貼り付ける。工程S7で熱処理を行ってシリコンウエハとエポキシ樹脂製の導電性テープとを強固に密着させ、工程S8でダイシングにより各チップを分離し、工程S9で各チップを用いて半導体装置を組立てる。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板と、前記シリコン半導体基板の裏面に形成された金属シリサイド層と、前記金属シリサイド層上に形成された金属層と、前記金属層上に貼付されかつ電気伝導性が確保された導電層を含むテープとを組立て工程の前処理において有し、前記導電層を前記シリコン半導体基板から剥がすことなく前記組立て工程を実行するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/28 301 , H01L 21/68 , H01L 21/301

FI (4)：

H01L 21/304 321 H , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/68 M , H01L 21/78 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体ウェハのダイシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-100624 Applicant：ミツミ電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-123488 Applicant：三洋電機株式会社
半導体部品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-307392 Applicant：日東電工株式会社

Show all

Return to Previous Page