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J-GLOBAL ID：200903008041525491

半導体レーザ素子用サブマウント

Inventor： 中川 勝利 ,  中村 美保 ,  近藤 和行 ,  宮下 公哉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (4)： 波多野 久 ,  関口 俊三 ,  猿渡 章雄 ,  古川 潤一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003330366
Publication number (International publication number)：2005101102
Application date： Sep. 22, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】半導体レーザ素子と金属製ヒートシンクに接合する半導体レーザ素子用サブマウントについて、接合コストが低く、高い接合強度を有し、フラックスレス接合が可能な半導体レーザ用サブマウントを提供する。【解決手段】基板の表面に密着層、バリア層、電極層としてのAu層がこの順番に積層されており、さらに上記電極層の表面にGe層、Snを主成分とするA層、Au層、がこの順番に積層され、またはSnを主成分とするA層、Ge層、Au層がこの順番に積層されており、上記A層は、Au,Ag,Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1質量%〜15質量%含有し、残部がSnから成る合金で構成されたことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の表面に密着層、バリア層、電極層としてのAu層がこの順番に積層されており、さらに上記電極層の表面にGe層、Snを主成分とするA層、Au層、がこの順番に積層され、またはSnを主成分とするA層、Ge層、Au層がこの順番に積層されており、上記A層は、Au,Ag,Cuから選択される少なくとも1種の元素を0.1質量%〜15質量%含有し、残部がSnから成る合金で構成されたことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。

IPC (2)：

H01S5/022 ,  H01S5/024

FI (2)：

H01S5/022 ,  H01S5/024

F-Term (5)：

5F073EA24 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• サブマウントおよび半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-127948   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半田組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-240875   Applicant：株式会社村田製作所
• はんだ合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-153372   Applicant：富士電機株式会社
• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-288007   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-334242   Applicant：ソニー株式会社