フラーレンを内外壁表面に有する超分子ナノチューブを用いた電界効果トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐伯憲生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008052613
Publication number (International publication number)：2009212242
Application date： Mar. 03, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：

【課題】本発明は、簡便かつ安定した材質で製造することができ、さらに電気特性に優れた有機半導体を使用してなる電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップを提供する。【解決手段】本発明は、有機半導体層が、フラーレンが結合した分子が自己組織化して内壁表面及び外壁表面の両面に結合したフラーレンからなる層を有するナノサイズ構造体を含む電荷輸送材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップに関する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

有機半導体層が、フラーレンが結合した分子が自己組織化して内壁表面及び外壁表面の両面に結合したフラーレンからなる層を有するナノサイズ構造体を含む電荷輸送材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , C01B 31/02

FI (6)：

H01L29/28 250E , H01L29/28 100A , H01L29/28 310E , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , C01B31/02 101F

F-Term (44)：

4G146AA07 , 4G146AA11 , 4G146AA19 , 4G146AA29 , 4G146AC03B , 4G146AC16B , 4G146AC17B , 4G146AD30 , 4G146BA04 , 4G146BA11 , 4G146BC02 , 4G146BC50 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-285224 Applicant：株式会社豊田中央研究所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-324200 Applicant：旭化成株式会社
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-386114 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

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Cited by examiner (1)

両親媒性ヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-028156 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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