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J-GLOBAL ID：200903008053327490

イオン注入方法およびその装置

Inventor：
岩澤 康司

About 岩澤 康司

, 
長井 宣夫

About 長井 宣夫


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 山本 恵二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001328662
Publication number (International publication number)：2003132835
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。【解決手段】 このイオン注入方法は、イオンビーム4をX方向に往復走査することと、基板2をX方向と直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用するものである。そして、基板2を駆動する速度を基板2の中心部2aで変更することによって、基板2を互いにドーズ量の異なる二つの注入領域に分けてイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であってイオンビーム4が基板2に当たっていない間に、基板2をその中心部2aを中心にして所定の角度だけ回転させる回転工程を1回ずつ実施する。
Claim (excerpt)：
イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板の全面にイオン注入を行うイオン注入方法において、イオンビームを走査する速度および基板を駆動する速度の内の一方を基板の中心部で変更することによって、基板を互いにドーズ量の異なる二つの注入領域に分けてイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であってイオンビームが基板に当たっていない間に、基板をその中心部を中心にして所定の角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3)：
H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 603
FI (3)：
H01J 37/317 C ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 603 C
F-Term (9)：
4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029DE06 ,  4K029JA02 ,  5C034CC04 ,  5C034CC10 ,  5C034CD04 ,  5C034CD07 ,  5C034CD10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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