Pat
J-GLOBAL ID：200903091995856213

イオン注入方法およびイオン注入装置

Inventor：
濱本 成顕

About 濱本 成顕

, 
松本 貴雄

About 松本 貴雄


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999372549
Publication number (International publication number)：2001185071
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 イオンビームのスイープ系機器を変更することなく幅広いエネルギーおよびイオン種のイオンビームをスイープすることができ、また注入時間を短くして装置のスループット向上を図ることもできるイオン注入方法および装置を提供する。【解決手段】 このイオン注入装置は、スイープマグネット12によるイオンビームのスイープおよびスキャン機構16によるターゲットのスキャンを制御する機能を有する注入制御装置26aを備えている。しかもこの注入制御装置26aは、更に、スイープマグネット12によるイオンビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて切り換える機能と、このスイープ周波数の切り換えに応じて、スキャン機構16によるターゲットの最低スキャン回数を切り換える機能とを有している。
Claim (excerpt)：
イオンビームを磁界によってX方向にスイープするスイープマグネットと、このイオンビームのスイープ領域内でターゲットを前記X方向と直交するY方向に機械的にスキャンするスキャン機構とを備えるイオン注入装置において、前記スイープマグネットによるイオンビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて切り換え、かつこのスイープ周波数の切り換えに応じて、前記スキャン機構によるターゲットの最低スキャン回数を切り換えることを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4)：
H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603
FI (5)：
H01J 37/317 C ,  H01J 37/317 A ,  C23C 14/48 B ,  H01L 21/265 603 B ,  H01L 21/265 T
F-Term (6)：
4K029CA10 ,  4K029DE06 ,  5C034CC04 ,  5C034CC07 ,  5C034CD04 ,  5C034CD07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM