Pat
J-GLOBAL ID：200903081145909754

イオン注入方法およびイオン注入装置

Inventor：
村山 栄一

About 村山 栄一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001274770
Publication number (International publication number)：2003086530
Application date： Sep. 11, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 簡易な方法で1枚のウェハに注入量が異なる複数の領域を形成することができると共に、製造コストを削減することができるイオン注入方法およびイオン注入装置を提供する。【解決手段】 X方向の静電スキャンにより走査されたイオンビームがウェハ16に照射される。ビーム検出部20によりウェハ16へのイオン注入量が計測されると共に、静電スキャン制御部14Bでは、計測されたイオン注入量をもとにして、図4(C)に示したように、領域a1 〜d1 のそれぞれの領域内部ではイオンビームの走査速度が一定になるよう制御する一方、異なる領域a1 〜d1 間では走査速度が変化するように制御する。これにより、ウェハ16のX方向にはイオン注入量の異なる複数の領域a1 〜d1 が形成される。
Claim (excerpt)：
イオンビームを走査してイオン注入量の異なる複数の領域を半導体ウェハに形成するイオン注入方法であって、前記イオンビームの走査速度を領域毎に変化させることにより注入量の異なる複数の領域を形成することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4)：
H01L 21/265 603 ,  H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317
FI (4)：
H01L 21/265 603 B ,  C23C 14/48 B ,  H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 T
F-Term (9)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029DE06 ,  5C034CC04 ,  5C034CC05 ,  5C034CC11 ,  5C034CD04 ,  5C034CD07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-315864   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 特開平3-046746
  • イオン注入装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-208091   Applicant：日新電機株式会社
Show all
Cited by examiner (9)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-315864   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 特開平3-046746
  • イオン注入装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-208091   Applicant：日新電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM