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J-GLOBAL ID：200903008074391814

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 岡崎 治彦 ,  藤本 英俊 ,  石川 正行 ,  布上 真也 ,  波多腰 玄一 ,  山本 雅裕
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997189730
Publication number (International publication number)：1998093198
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体材料を用いたダブルへテロ構造部におけるキャリアの注入及び光の閉じ込めを良好に行うことができ、低しきい値で発振する短波長の光源として利用できる。【解決手段】 サファイア基板101上に窒化ガリウム系化合物半導体材料からなり、活性層106をn型クラッド層104及びp型クラッド層108で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、ダブルへテロ構造部は、サファイア基板101上にGaNバッファ層102を介して形成され、かつメサ型に形成され、このメサ型構造の両側が高抵抗のGaN電流ブロック層110で埋め込まれている。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体材料(Inx Gay Alz B1-x-y-z N:0≦x,y,z,x+y+z≦1)からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、前記ダブルヘテロ構造部は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体材料からなるバッファ層を介して形成され、かつメサ型に形成され、このメサ型構造の両側が電流ブロック層で埋め込まれてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221816   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-219090
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-184558   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭55-082482
  
• 特開昭62-092385