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J-GLOBAL ID：200903008087111357

積層膜の形成方法

Inventor： 岩沢 晴生 ,  王 道海 ,  松木 安生
Applicant, Patent owner： JSR株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005127473
Publication number (International publication number)：2006310345
Application date： Apr. 26, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。【選択図】なし。

Claim (excerpt)：

基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L21/208 Z ,  H01L21/316 G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617V

F-Term (27)：

5F053AA06 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-119996号公報
  
• ポリシラザン塗膜のシリカ質への転化促進方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-151850   Applicant：クラリアントインターナショナルリミテッド

Cited by examiner (5)

• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367548   Applicant：日本電気株式会社
• シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-245947   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-408858   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• シリコン膜およびそのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-117631   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜の形成方法およびそのための組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375992   Applicant：ジェイエスアール株式会社