シリコン膜およびそのパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大島正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000117631
Publication number (International publication number)：2001308020
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】酸化シリコンやポリシリコンに容易に変換しうるアモルファスシリコン膜、それから、酸化シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜ならびにその製造法を提供すること。【解決手段】酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜、これらの性質を利用してポリシリコン、酸化シリコンおよびアモルファスシリコンの少なくとも2つの領域を備えた膜を製造する方法ならびにかくして製造された膜。

Claim (excerpt)：

酸素を含有する雰囲気中で光処理すると酸化シリコン膜となりそして不活性雰囲気中で光処理するとポリシリコン膜となる性質を備えたアモルファスシリコン膜。

IPC (5)：

H01L 21/208 , C01B 33/02 , C01B 33/12 , H01L 21/20 , H01L 21/316

FI (5)：

H01L 21/208 Z , C01B 33/02 D , C01B 33/12 C , H01L 21/20 , H01L 21/316 G

F-Term (50)：

4G072AA01 , 4G072AA02 , 4G072AA03 , 4G072AA25 , 4G072AA26 , 4G072BB09 , 4G072BB12 , 4G072BB13 , 4G072HH03 , 4G072HH05 , 4G072HH07 , 4G072HH10 , 4G072HH11 , 4G072JJ03 , 4G072LL01 , 4G072LL02 , 4G072LL03 , 4G072MM36 , 4G072MM40 , 4G072NN01 , 4G072NN30 , 4G072RR01 , 4G072RR03 , 4G072RR12 , 4G072RR13 , 4G072RR26 , 4G072UU01 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA24 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB09 , 5F052JA01 , 5F053AA06 , 5F053BB08 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG03 , 5F053HH05 , 5F053PP03 , 5F053PP20 , 5F053RR20 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BC02 , 5F058BF29 , 5F058BF40 , 5F058BF77 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-195985 Applicant：シャープ株式会社, 昭和電工株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-102677 Applicant：昭和電工株式会社
改善されたオルガノシリコンナノクラスター及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-298187 Applicant：株式会社日立製作所

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