シリコン窒化膜の形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：日向寺雅彦 , 松山允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004058214
Publication number (International publication number)：2005251877
Application date： Mar. 02, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：

【課題】高い膜質を維持しつつ段差などに対する被覆性も良好なシリコン窒化膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコンと窒素とを含む第1のガスと、窒素と水素とを含む第2のガスと、を減圧雰囲気において加熱した触媒に作用させることにより、シリコン窒化膜を形成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコンと窒素とを含む第1のガスと、窒素と水素とを含む第2のガスと、を減圧雰囲気において加熱した触媒に作用させることにより、シリコン窒化膜を形成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L21/318 , H01L29/78

FI (2)：

H01L21/318 B , H01L29/78 301N

F-Term (22)：

5F058BA09 , 5F058BC08 , 5F058BF01 , 5F058BF22 , 5F058BF30 , 5F058BJ07 , 5F140AA06 , 5F140AA14 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK26 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

シリコン窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-266266 Applicant：富士通株式会社
特開昭61-234534号公報

Cited by examiner (5)

特公昭56-025018
薄膜作成方法及び薄膜作成装置並びに半導体-絶縁体接合構造を有する半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257675 Applicant：松村英樹, 日本電気株式会社, アネルバ株式会社
特開昭61-234534

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