水素ガス分離膜の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池田治幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005063095
Publication number (International publication number)：2006239663
Application date： Mar. 07, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】一層高いガス透過率と一層高い透過係数比とを兼ね備えた水素ガス分離膜の製造方法を提供する。【解決手段】製膜液塗布工程P3および焼成工程P4によって支持体12上に形成された多孔質のシリカ膜16は、比較的大きい0.6(nm)を超える細孔径を備えたピンホール48と、0.6(nm)以下の超ミクロ孔50とを有するが、化学蒸着工程P5において、そのピンホール48の内壁面にシリカが選択的に製膜されることによってその細孔径が0.6(nm)以下に縮小される。したがって、水素ガス分離に好適な大きさの超ミクロ孔50の細孔径を維持したまま、それよりも大きいピンホール48の細孔径のみが専ら縮小されることから、適度な大きさの細孔径を狭い分布で備えることにより、高いガス透過率と高い透過係数比とを兼ね備えた水素分離膜10が得られる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

所定の多孔質支持体上に多孔質セラミック膜を形成して水素ガス分離膜を製造する方法であって、前記多孔質支持体上に0.6(nm)を超える細孔径の連通細孔と、0.6(nm)以下の連通微細孔とを有する多孔質セラミック膜を形成する膜形成工程と、前記連通細孔の内壁面に化学蒸着法を用いて前記多孔質セラミック膜の構成材料を製膜してその細孔径を0.6(nm)以下に縮小する蒸着工程とを、含むことを特徴とする水素ガス分離膜の製造方法。

IPC (4)：

B01D 71/02 , B01D 69/04 , B01D 69/10 , C04B 41/85

FI (4)：

B01D71/02 500 , B01D69/04 , B01D69/10 , C04B41/85 C

F-Term (10)：

4D006GA41 , 4D006MA02 , 4D006MA09 , 4D006MA22 , 4D006MC03 , 4D006NA31 , 4D006PA03 , 4D006PB66 , 4D006PC69 , 4D006PC80

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ガス分離フィルタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-241714 Applicant：京セラ株式会社
水素分離膜およびその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-196228 Applicant：エヌオーケー株式会社, 諸岡成治
特開平4-104822

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