FPD用保護膜及びその製造方法並びにこれを用いたFPD

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999182814
Publication number (International publication number)：2001035382
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】保護膜の基板(誘電体層)との密着性及び整合性の低下を防止し、かつ保護膜の電気絶縁性の低下を防止する。また膜本体又は膜体中のMgO等が大気中のCO<SB>2</SB>ガスやH<SB>2</SB>Oガスと反応することをフッ化物層が阻止することにより、MgO等のFPDに有害なMgCO<SB>3</SB>やMg(OH)<SB>2</SB>等への変質を防止する。【解決手段】基板13の表面に膜本体14aが形成され、この膜本体14aの表面にフッ化物層14bが形成される。フッ化物層14bはMO<SB>X</SB>F<SB>Y</SB>(MはMg,Ca,Sr,Ba,アルカリ土類複合金属又は希土類金属,或いはアルカリ土類金属及び希土類金属の複合金属であり、0≦X<2,0<Y≦4である。)であり、このフッ化物層14bはガス状フッ素化剤とMgO等との反応によって得られる。またガス状フッ素化剤としてはフッ素ガス、フッ化水素ガス、BF<SB>3</SB>、SbF<SB>5</SB>又はSF<SB>4</SB>を用いることが好ましい。

Claim (excerpt)：

基板(13)の表面にMgO,CaO,SrO,BaO,アルカリ土類複合酸化物若しくは希土類酸化物,又はアルカリ土類酸化物及び希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された膜本体(14a)と、前記膜本体(14a)の表面に形成されたフッ化物層(14b)とを備えたFPD用保護膜。

IPC (2)：

H01J 11/02 , H01J 9/02

FI (2)：

H01J 11/02 B , H01J 9/02 F

F-Term (20)：

5C027AA07 , 5C040FA01 , 5C040FA04 , 5C040GB03 , 5C040GB14 , 5C040GE02 , 5C040GE07 , 5C040GE08 , 5C040GE09 , 5C040JA02 , 5C040JA03 , 5C040JA07 , 5C040JA12 , 5C040JA21 , 5C040JA22 , 5C040KA03 , 5C040KA04 , 5C040KB19 , 5C040MA10 , 5C040MA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ac形プラズマディスプレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051982 Applicant：内池平樹, 株式会社東芝
特開昭56-061740
特開昭51-006663

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