Pat

J-GLOBAL ID：200903008242349799

反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置

Inventor： 近藤 雄 ,  渡辺 智 ,  金子 和
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345584
Publication number (International publication number)：1999186598
Application date： Dec. 15, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】p型窒化物半導体の反射電極の特性向上とその発光装置への応用。【解決手段】p型窒化物半導体層に銀層を備え、該銀層が反射p電極として機能するとともに短波長光の反射層として機能するようにその厚さ20nmより厚くしている。上記銀の機械的、電気的特性とを向上するため金属や誘電体の安定化層で銀層を覆うのが好ましい。また反射率を高くするため安定化層を回路接続用金属層と、該金属層と銀層間に介入挿入された銀への拡散が少なく金属層の銀への拡散を阻止する拡散阻止層とを備えるようにすることができる。本発明のp電極を備えたLEDは基板側から発光するようにフリップチップ方式でパッケージに実装されるとp電極の高い反射率の恩恵をより多く得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板と該基板上のn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の窒化物半導体からなる活性層と、活性層上のp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上の前記活性層が発生する光を反射させるための厚さ20nm超過の銀層と、を備えたLED部材。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/00

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 23/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-022196   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-290499   Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-022196   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-290499   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平2-049477
  
• 特開平3-283688