金属粒子からの単層カーボンナノチューブの接触成長

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000574021
Publication number (International publication number)：2002526361
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Aug. 20, 2002
Summary：

【要約】単層カーボンナノチューブを、より大きい多層ナノチューブの産出で知られている支持金属触媒上で一酸化炭素及びエチレンを接触分解させることにより合成した。ある条件下では、ナノチューブの成長は停止せず、産出は反応ガスが触媒を覆う生成物ナノチューブマット中へ拡散することのみにより制限されるように見える。本発明は、支持触媒から成長することが知られている大きい不規則寸法の多層カーボンフィブリルよりはむしろ特定な寸法範囲の単層チューブが優勢的であるナノチューブの成長を促進する触媒/支持体系に関する。単層ナノチューブの産出に有効な手段を提供する支持触媒の開発及び拡散による制限を克服するための触媒形状寸法の更なる開発に伴い、本発明は触媒支持表面に位置する金属触媒から、単層カーボンナノチューブを優勢的に総体接触産出させることを可能とするであろう。

Claim (excerpt)：

高められた温度に維持された反応帯中に不活性表面に支持された活性ナノ尺度の粒状遷移金属触媒を提供し、該反応帯へ多層カーボンナノチューブの産出を触媒するに十分大きい直径を有する触媒粒子を不活化させる条件下でガス状炭素含有化合物を供給し、反応帯中の該ガス状炭素含有化合物を単層カーボンナノチューブの産出を触媒する小直径の活性支持触媒粒子と接触させることを含む単層カーボンナノチューブの産出方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 , B01J 23/28 , B01J 23/88

FI (3)：

C01B 31/02 101 F , B01J 23/28 M , B01J 23/88 M

F-Term (20)：

4G046CA01 , 4G046CC08 , 4G069AA03 , 4G069BA01A , 4G069BA01B , 4G069BB02A , 4G069BB02B , 4G069BC24A , 4G069BC58A , 4G069BC59A , 4G069BC59B , 4G069BC60A , 4G069BC66A , 4G069BC66B , 4G069BC67A , 4G069BC68A , 4G069BC69A , 4G069CB81 , 4G069DA06 , 4G069EB19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

炭素フィブリル材料を含む複合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-097430 Applicant：ハイピリオン・カタリシス・インターナシヨナル
炭素フィブリル材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-097431 Applicant：ハイピリオン・カタリシス・インターナシヨナル
カーボンナノチューブの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-008461 Applicant：キヤノン株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Chemical vapor deposition of methane for single-walled carbon nanotubes

Return to Previous Page