検査方法およびその装置並びに半導体基板の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997134145
Publication number (International publication number)：1998325711
Application date： May. 23, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】比較検査による欠陥検出方法において、高解像度の光学系を用いて微小欠陥を検出し、且つ欠陥検出ノイズとなる画像歪みを補正して欠陥検出性能を向上する。また、検出した欠陥の分類と大きさを求めることができる検査方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】試料に形成されたパターンに応じて照明光の偏光を制御することにより、高解像度の画像を検出して微小欠陥を検出できる光学系を実現する。また、ステージの振動や光学収差によって生じた画像歪みを補正し、欠陥検出上のノイズとなる正常部の不一致を低減し、欠陥検出感度の向上並びに誤検出の防止を図る。また、同一試料上に異なる反射率のパターンがあっても、センサのブルーミングを防止でき、高い欠陥検出感度を達成する。さらに、検出した欠陥の分類及び大きさを判定する機能を備えた検査方法およびその装置を提供することである。

Claim (excerpt)：

光源から出射されたインコヒーレント光を偏光ビームスプリッターを透過あるいは反射させることによって部分偏光させて1/4波長板により楕円偏光に変換して被検査対象物に対して落射照明する照明光学系と、前記被検査対象物からの反射回折光を前記1/4波長板を通して前記偏光ビームスプリッターを反射あるいは透過させることによって捕捉して被検査対象物上の像を光電変換素子上に結像させる検出光学系と、該検出光学系で検出した比較画像を参照画像と比較処理して検査する画像処理部とを具備し、前記1/4波長板の回転角を前記被検査対象物上に形成されたパターンに応じて設定することを特徴とする検査装置。

IPC (5)：

G01B 11/30 , G01N 21/21 , G01N 21/88 , G02B 21/00 , G02B 21/36

FI (5)：

G01B 11/30 C , G01N 21/21 Z , G01N 21/88 E , G02B 21/00 , G02B 21/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特表平7-503793
画像入力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-262820 Applicant：株式会社ニコン
画像読み取り装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-133010 Applicant：キヤノン株式会社

Show all

Return to Previous Page