高電子移動度トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002323750
Publication number (International publication number)：2003179082
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】電子走行層の電子移動度が高いGaN系の高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はInを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。または、前記電子走行層はAsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。

Claim (excerpt)：

電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が前記電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はInを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含むことを特徴する高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-045809 Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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