III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001100932
Publication number (International publication number)：2001345282
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】第1のIII族窒化物系化合物半導体層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングして段差を設け、底部は、基板の一部をも削っす露出するよう形成する。こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体32を横方向エピタキシャル成長させることで段差部分の上方にも成長させることができる。このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、第1のIII族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。

Claim (excerpt)：

基板上III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層を前記基板上に形成する工程と、前記基底層と前記基板表面の少なくとも一部とをエッチングにより削り、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態とし、前記基板面に前記基底層の形成された上段と、前記基底層の形成されていない、基板面の凹部である下段との段差を設ける工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記基底層の段差の上段の上面及び側面を核として、第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343 610

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/343 610

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-553988 Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-301158 Applicant：日本電気株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-010057 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-553988 Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-301158 Applicant：日本電気株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-010057 Applicant：ソニー株式会社

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