原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000307849
Publication number (International publication number)：2001152339
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。【解決手段】基板を含む反応チャンバに薄膜をなす元素とリガンドを含む第1反応物を注入かつパージし、次に第2反応物を注入且つパージする。第2反応物を薄膜をなす元素との結合エネルギーがリガンドよりも大きい物質を用いて薄膜をなす元素と第2反応物との化学反応により薄膜を形成すると共に、副反応物の生成を防止する。または、第2反応物として水酸化基を含んでいない物質を用い、第2反応物のパージ後に水酸化基を含んでいる第3反応物と再び反応させることにより、薄膜内に水酸化基の副産物の生成を抑止する。または、第2反応物のパージ後に不純物の除去及び化学量論の向上のための第3反応物を注入及びパージする。これにより、薄膜内に不純物が含まれていず、しかも化学量論に優れた薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板を含む反応チャンバに薄膜をなす元素及びリガンドを含む第1反応物を注入して前記基板上に第1反応物を化学吸着させる段階と、前記反応チャンバを不活性ガスでパージし、物理吸着された第1反応物を除去する段階と、前記反応チャンバに前記薄膜をなす元素との結合エネルギーが前記リガンドよりも大きい第2反応物を注入して前記薄膜をなす元素と第2反応物との化学反応によって原子層単位の薄膜を形成すると共に、副反応物の生成なしに前記リガンドを除去する段階とを含んでなることを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。

IPC (5)：

C23C 16/40 , C23C 16/34 , C23C 16/44 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (5)：

C23C 16/40 , C23C 16/34 , C23C 16/44 A , H01L 21/316 C , H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-176197 Applicant：三星電子株式会社
特開平3-271372
金属膜の選択的形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-172480 Applicant：株式会社東芝

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