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J-GLOBAL ID：200903008600379808

薄膜トランジスタおよびこの薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
河村 真一

About 河村 真一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999132728
Publication number (International publication number)：2000323717
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】しきい値電圧Vthのような薄膜トランジスタの特性のバラツキに対する影響を小さくする一方で、ガラス基板からの不純物の拡散を抑制する。【解決手段】ガラス基板を覆う絶縁性アンダーコート薄膜層と、この絶縁性アンダーコート薄膜層上に形成される多結晶シリコンの半導体活性層26と、この半導体活性層26上に絶縁して形成されるゲート電極28とを備える。特に、絶縁性アンダーコート薄膜層はガラス基板21を覆う窒化シリコン膜22およびこの窒化シリコン膜22を覆い100nm以上の厚さを持つ酸化シリコン膜23を含む。
Claim (excerpt)：
ガラス基板を覆う絶縁性アンダーコート薄膜層と、この絶縁性アンダーコート薄膜層上に形成される半導体活性層と、この半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、前記絶縁性アンダーコート薄膜層は前記ガラス基板を覆う窒化シリコン膜およびこの窒化シリコン膜を覆う酸化シリコン膜を含み、前記酸化シリコン膜は100nm以上の厚さを持つことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1365
FI (2)：
H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500
F-Term (39)：
2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA17 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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