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J-GLOBAL ID：200903027947922930

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
池田 裕幸

About 池田 裕幸


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997241782
Publication number (International publication number)：1999068112
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 特性を低下させることなく、長期的な信頼性が高い薄膜トランジスタを低コストで製造することができる方法を提供する。【解決手段】 活性層用の多結晶Si層32上にSiOx 膜33を形成した状態でSiOx 膜33側からエキシマレーザ光34を照射する熱処理で、SiOx 膜33の膜質を改善する。多結晶Si層32の構造を変化させるエキシマレーザ光34の照射エネルギーは、非晶質Si層を溶融して多結晶状態にするのに必要な照射エネルギーよりも高いので、非晶質Si層を溶融する程度のエキシマレーザ光34を照射することによって、形成済の活性層用の多結晶Si層32の構造を変化させることなく、SiOx 膜33の膜質を改善することができる。
Claim (excerpt)：
活性層用の多結晶半導体層を絶縁性基体上に形成する工程と、前記多結晶半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜側からのレーザ光の照射による熱処理を前記絶縁膜に施す工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (8)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B01J 19/12 ,  C01B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (10)：
H01L 29/78 617 V ,  B01J 19/12 G ,  B01J 19/12 B ,  C01B 33/02 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 F
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (6)
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