半導体装置の不揮発性キャパシタ、その不揮発性キャパシタを含む半導体メモリ素子およびその半導体メモリ素子の動作方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004365229
Publication number (International publication number)：2005183979
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】半導体装置の不揮発性キャパシタ、それを含む半導体メモリ素子およびその動作方法を提供する。【解決手段】下部電極と、誘電体層と、上部電極とが順次に積層された構成を有し、前記誘電体層が、絶縁性が変化した後に顕著に異なる2つの抵抗特性を示す相転移膜を含む半導体装置のキャパシタ、そのキャパシタを含む半導体メモリ素子、および前記半導体メモリ素子の動作方法を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下部電極と、誘電体層と、上部電極とが順次に積層された構成を有し、前記誘電体層が、絶縁性が変化した後に顕著に異なる2つの抵抗特性を示す相転移膜を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。

IPC (2)：

H01L27/10 , H01L49/02

FI (2)：

H01L27/10 451 , H01L49/02

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特表平6-509909
電子群の位置移動を利用する記録素子、その製作方法、その動作方法およびそれを用いた記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-081160 Applicant：飯田修一
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-600308 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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