Pat
J-GLOBAL ID：200903008951413395

樹脂封止型半導体装置

Inventor：
河田 達男

About 河田 達男

, 
鈴木 宏

About 鈴木 宏

, 
幸島 博起

About 幸島 博起

, 
宮林 和彦

About 宮林 和彦

, 
堀江 修

About 堀江 修


Applicant, Patent owner：
日立化成工業株式会社

About 日立化成工業株式会社


Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994189686
Publication number (International publication number)：1996053534
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半田付け時のフクレやクラックが発生せず、耐湿信頼性に優れた薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 封止材として下記一般式(I)で示されるエポキシ樹脂、【化1】(式中RはH又はCH3基を示し、nは0〜3の数を示す。)下記一般式(II)で示される硬化剤、【化2】(式中mは0〜30の数を示す。)下記一般式(III)及び下記一般式(IV)で示される化合物から選ばれる少なくとも1種以上の硬化促進剤、【化3】ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに充填剤として65〜90vol%の溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いた樹脂封止型半導体装置。
Claim (excerpt)：
Siチップ面積が25mm2以上又は一辺の長さが5mm以上で、パッケージの厚さが3mm以下であるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材として下記一般式(I)で示されるエポキシ樹脂、【化1】(式中RはH又はCH3基を示し、nは0〜3の数を示す。)下記一般式(II)で示される硬化剤、【化2】(式中mは0〜30の数を示す。)下記一般式(III)及び下記一般式(IV)で示される化合物から選ばれる少なくとも1種以上の硬化促進剤、【化3】ポリエチレン系ワックス又はポリエチレン系ワックスとカルナバ若しくはモンタン酸エステル系ワックスからなる離型剤並びに、充填剤として65〜90vol%の溶融シリカを配合したエポキシ樹脂封止材を用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (6)：
C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NJL ,  C08G 59/62 NJR ,  C08L 63/00 NJN ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM