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J-GLOBAL ID：200903009062536805

光起電力素子

Inventor： 松田 高一 ,  松山 深照
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062111
Publication number (International publication number)：1997246582
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 裏面拡散反射によって高い光電変換効率を維持しつつ、加工性と歩留りと信頼性を高めた光起電力素子を提供する。【解決手段】 少なくとも基板、裏面反射層、及び光電変換層を有する光起電力素子の基板及び/又は裏面反射層の、波長800nmの光の拡散反射率が3%以上50%以下とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも基板、裏面反射層、及び光電変換層を順次積層した光起電力素子の該基板及び/又は裏面反射層の、波長800nmの光の拡散反射率が3%以上50%以下であり、前記光電変換層が少なくともシリコン及びゲルマニウムを含むことを特徴とする光起電力素子。

FI (2)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 太陽電池基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264612   Applicant：株式会社日立製作所
• 光起電力素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020052   Applicant：キヤノン株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-283052   Applicant：キヤノン株式会社