窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001151139
Publication number (International publication number)：2002343728
Application date： May. 21, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】欠陥密度の少ないGaN単結晶のエピタキシャル成長基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積し、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成し、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる。

Claim (excerpt)：

表面に単結晶窒化ガリウムを有する基板上に金属膜を堆積する工程、前記金属膜を堆積した基板に熱処理を施して、基板の窒化ガリウム結晶中に空隙を形成する工程、前記窒化ガリウム結晶中に空隙を形成した基板上に、さらに窒化ガリウムを堆積させて、前記空隙を埋め込み、続いて前記金属膜上に略平坦な単結晶窒化ガリウム膜を成長させる工程を含むことを特徴とする、窒化ガリウム結晶基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

F-Term (19)：

5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AB40 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DB02 , 5F045HA16 , 5F045HA25 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

III族窒化物半導体の成長方法、III族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-063688 Applicant：日本電気株式会社
特許第3631724号
半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-240384 Applicant：日立電線株式会社

Show all

Return to Previous Page