GaN系半導体基材およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001057909
Publication number (International publication number)：2002261027
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】転位密度が低減されたGaN系半導体基材の構造およびその製造方法を提供すること。【解決手段】第一番目のGaN系結晶層1の上面1aにエッチピットPを形成し、該エッチピットが、空洞状態および/またはGaN系結晶にて充填された状態となるように、該上面1aに第二番目のGaN系結晶層2を成長させる。これによって、転位線の伝搬は、エッチピットによって制御され、上層の低転位化が可能となる。

Claim (excerpt)：

第一番目のGaN系結晶層上に第二番目のGaN系結晶層が成長してなる積層構造を有するGaN系半導体基材であって、第一番目のGaN系結晶層の上面は、エッチピットが形成されたものであり、第二番目のGaN系結晶層が成長することによって、前記エッチピットが、空洞状態および/またはGaN系結晶にて充填された状態となっていることを特徴とするGaN系半導体基材。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 21/306 , H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00 C , H01L 21/302 P , H01L 21/306 B

F-Term (31)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F004AA16 , 5F004DB19 , 5F004FA08 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F043AA05 , 5F043BB06 , 5F043DD02 , 5F043GG10 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

結晶膜、結晶基板および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-010708 Applicant：ソニー株式会社
結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-010709 Applicant：ソニー株式会社

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