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J-GLOBAL ID：200903009197089965

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
渡辺 利幸

About 渡辺 利幸

, 
宝珍 隆三

About 宝珍 隆三


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999001932
Publication number (International publication number)：2000200698
Application date： Jan. 07, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 低圧力下で大面積にわたり高周波電力効率が良好で、均一な高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 高周波誘導結合用コイル2に高周波電力を印加することにより、真空室4の一面を封止する誘電体1を介して真空室4内にプラズマを発生させ、基板8を処理するプラズマ処理方法及び装置において、板状部1aと1又は複数の梁1b〜1iで一体的に構成したハニカム状の誘電体1を配設し、誘電体からなっても必要な面強度を確保できるようにし、金属製の梁による高周波電力の損失や部分的な遮蔽を無くした。
Claim (excerpt)：
真空室の一面をハニカム状の誘電体で封止し、この誘電体を介して高周波誘導により真空室にプラズマを発生させ、基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
F-Term (19)：
4K030KA15 ,  4K030KA18 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB29 ,  5F004BC01 ,  5F004CA06 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EB10 ,  5F045EC05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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