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J-GLOBAL ID：200903009244871740

高誘電率薄膜エッチング剤組成物

Inventor：
山田 健二

About 山田 健二

, 
大戸 秀

About 大戸 秀


Applicant, Patent owner：
三菱瓦斯化学株式会社

About 三菱瓦斯化学株式会社


Agent (1)： 永井 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004092794
Publication number (International publication number)：2004311993
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】 高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFETの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。【解決手段】 有機酸(シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。)又は無機酸(硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。)の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
Claim (excerpt)：
有機酸又は無機酸の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。
IPC (6)：
H01L21/308 ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/24 ,  C23F1/30 ,  H01L29/78
FI (6)：
H01L21/308 E ,  C23F1/18 ,  C23F1/20 ,  C23F1/24 ,  C23F1/30 ,  H01L29/78 301G
F-Term (28)：
4K057WA11 ,  4K057WB01 ,  4K057WB04 ,  4K057WB05 ,  4K057WB06 ,  4K057WB08 ,  4K057WE01 ,  4K057WE02 ,  4K057WE03 ,  4K057WE04 ,  4K057WE07 ,  4K057WE08 ,  4K057WE11 ,  4K057WE12 ,  4K057WE13 ,  4K057WE14 ,  4K057WG03 ,  4K057WN01 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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