基板処理方法及びその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉谷勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003049236
Publication number (International publication number)：2004259946
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】高誘電率材料を用いた基板を比較的に低い温度で好適に処理する。【解決手段】硫酸(H2SO4)とフッ酸(HF)とを含む処理液、または硫酸(H2SO4)とバッファードフッ酸(NH4F・HF)と含む処理液で、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することにより、比較的に低い温度の処理液で高誘電率材料を選択的に処理することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

硫酸(H2SO4)とフッ酸(HF)とを含む処理液、または硫酸(H2SO4)とバッファードフッ酸(NH4F・HF)と含む処理液で、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2)：

H01L21/306 , H01L29/78

FI (2)：

H01L21/306 D , H01L29/78 301G

F-Term (14)：

5F043AA37 , 5F043AA38 , 5F043BB24 , 5F043BB25 , 5F043EE32 , 5F043EE33 , 5F140AA00 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE14 , 5F140BF01 , 5F140BF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

デュアルゲート構造およびデュアルゲート構造を有する集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-208505 Applicant：台湾積體電路製造股分有限公司
誘電体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-060515 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-371746 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page