アニールウェーハのボロン汚染消滅方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：清水千春 , 尾股行雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002252608
Publication number (International publication number)：2004095717
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】シリコンウェーハのアニール処理に伴うボロン汚染の消滅方法、即ちアニール処理に伴うウェーハ表面近傍のボロン濃度増加の防止方法を提供することにより、ウェーハの表面とバルク中のボロン濃度差を無くすことである。【解決手段】表面に自然酸化膜が形成され、さらに環境或いはアニール処理前ケミカル処理に由来するボロンが付着したシリコンウェーハのアニール処理に際して、不活性ガスへの水素ガスの混合率が5%乃至100%である混合ガス雰囲気下で昇温を行い、ボロンを含む自然酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下でアニール処理することを特徴とするアニールウェーハのボロン汚染消滅方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面に自然酸化膜が形成され、さらに環境或いはアニール処理前ケミカル処理に由来するボロンが付着したシリコンウェーハのアニール処理に際して、不活性ガスへの水素ガスの混合率が5%乃至100%である混合ガス雰囲気下で昇温を行い、ボロンを含む自然酸化膜を除去した後、不活性ガス雰囲気下でアニール処理することを特徴とするアニールウェーハのボロン汚染消滅方法。

IPC (2)：

H01L21/324 , H01L21/304

FI (3)：

H01L21/324 W , H01L21/324 X , H01L21/304 645A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

アニールウェーハの製造方法およびアニールウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-287607 Applicant：信越半導体株式会社
アニールウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-381755 Applicant：シルトロンインク
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-223158 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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