光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007220012
Publication number (International publication number)：2009054794
Application date： Aug. 27, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】暗電流を抑えてSN比を向上させることのできる光電変換素子を提供する。【解決手段】下部電極101と、上部電極104と、これらの間に配置された有機光電変換層102とを含む光電変換素子であって、上部電極104を有機光電変換層102で発生した電子を捕集するための電極とし、下部電極を有機光電変換層102で発生した正孔を捕集するための電極とし、上部電極104と有機光電変換層102との間に、上部電極104と下部電極101間にバイアス電圧を印加した状態で上部電極104から有機光電変換層102に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層103を備え、この酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が0.5以上1.2以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された有機光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記一対の電極の一方を、前記有機光電変換層で発生した電子を捕集するための電極とし、前記一対の電極の他方を、前記有機光電変換層で発生した正孔を捕集するための電極とし、前記電子を捕集するための電極と前記有機光電変換層との間に、前記一対の電極間にバイアス電圧を印加した状態で前記電子を捕集するための電極から前記有機光電変換層に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層を備え、前記酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が0.5以上1.2以下である光電変換素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 , H01L 27/146

FI (2)：

H01L31/10 A , H01L27/14 E

F-Term (29)：

4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA15 , 4M118CA22 , 4M118CA27 , 4M118FA06 , 4M118GB03 , 4M118GB07 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049MB08 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049QA03 , 5F049QA20 , 5F049RA03 , 5F049RA08 , 5F049SE04 , 5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

画像読み取り素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-290159 Applicant：三菱化成株式会社

Cited by examiner (4)

画像読み取り素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-290159 Applicant：三菱化成株式会社
有機光電変換素子、および撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-272001 Applicant：富士フイルム株式会社
有機太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-331296 Applicant：松下電工株式会社

Show all

Return to Previous Page