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J-GLOBAL ID：200903077635494296

光電変換膜積層型固体撮像素子とその製造方法

Inventor：
前原 佳紀

About 前原 佳紀


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (4)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005054685
Publication number (International publication number)：2006245045
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 光学的に透明であって、製造時有機半導体を劣化させず加熱・プラズマ・溶媒等から有機半導体を保護し、また製造後に水分やガス等を遮断して有機半導体の劣化を防止するという、有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の保護層に必要な条件を満足する材料とその製造方法を提供すること。【解決手段】 有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子の、透明対向電極上に無機材料から成る保護層を成膜すること。成膜材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等。これらのうち2種を交互に積層した構造としても良い。保護層の成膜法としては、真空中で成膜する乾式薄膜作製法、特にICPCVD法、ECRCVD法等のプラズマCVDが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
有機半導体を利用した光電変換膜積層型固体撮像素子であって、透明対向電極より上に無機材料から成る保護層を成膜したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2)：
H01L27/14 E ,  H01L31/10 A
F-Term (22)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118CB05 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA01 ,  5F049SE02 ,  5F049SZ12 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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