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J-GLOBAL ID:200903009338604052
成膜方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
渡邉 勇 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995197996
Publication number (International publication number):1996170163
Application date: Jul. 11, 1995
Publication date: Jul. 02, 1996
Summary:
【要約】【課題】 被加工物の任意の面あるいは場所に任意のパターン形状の成膜をおこなう。【解決手段】 低エネルギーの成膜用ガス粒子ビームを発生するビーム源から放射されたビーム21を被加工物25の表面に照射して成膜するに、該ビーム源と被加工物とを相対移動せしめて、被加工物25の任意の面または位置に任意の成膜パターン27を形成する。
Claim (excerpt):
低エネルギーの成膜用ガス粒子ビームを発生するビーム源から放射されたビームを被加工物の表面に照射して成膜するに、該ビーム源と被加工物とを相対移動せしめて、被加工物の任意の面または位置に任意の成膜パターンを形成することを特徴とする成膜方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (2)
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集束イオンビーム蒸着装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-009303
Applicant:株式会社島津製作所
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マイクロマシニング方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-004400
Applicant:富士電機株式会社
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