真空マイクロ素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065642
Publication number (International publication number)：1998261361
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】ダイヤモンドをエミッタに使用した場合の新しい真空マイクロ素子の製造方法と製造を得る。【解決手段】Si基板上にゲート絶縁層となる酸化膜を形成し、続いてゲート電極層になるモリブデン(Mo)を形成する。ゲート絶縁層とゲート電極層をエッチングにより開口部を形成し、ダイヤモンドを成長させる。開口部の直径がダイヤモンドの成長に従って塞がることを利用し開口部内にダイヤモンドを円錐状に形成する。最終的Mo上に堆積したダイヤモンドを剥離して完成する。

Claim (excerpt)：

電子を電界放出するエミッタと、その放出を制御するゲート電極とを有する真空マイクロ素子の製造方法において、基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極層を積層形成する工程と、前記エミッタが形成される領域のゲート電極層及び絶縁膜を開口する工程と、全面にダイヤモンド形成し、ゲート電極層上に形成されたダイヤモンドが開口部を塞ぐことによって前記基板上にダイヤモンドエミッタ層を形成する工程とを含む真空マイクロ素子の製造方法。

IPC (3)：

H01J 9/02 , H01J 1/30 , H01J 19/24

FI (4)：

H01J 9/02 B , H01J 1/30 F , H01J 1/30 A , H01J 19/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

情報検索装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-161280 Applicant：株式会社エイ・ティ・アール通信システム研究所
冷陰極素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-092586 Applicant：松下電器産業株式会社
デイジタル磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-169663 Applicant：株式会社日立製作所

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