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J-GLOBAL ID：200903009869796134

半導体装置、半導体ウェーハおよびこれらの製造方法

Inventor： 宇佐美 達矢
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000143725
Publication number (International publication number)：2001326222
Application date： May. 16, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。【解決手段】配線層絶縁膜中に銅膜6が埋め込まれた配線構造において、配線層絶縁膜を、MSQ(メチルシルセスキオキサン)膜2、MHSQ(メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン)膜3、およびシリコン酸化膜4が積層した構造とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多層絶縁膜が設けられ、該多層絶縁膜中に配線が形成された半導体装置であって、該多層絶縁膜は、酸化シリコンよりも低い誘電率を有する有機低誘電率材料からなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層の上部に接して形成されたSi-H基を有するポリシロキサン化合物からなる第二の絶縁層と、該第二の絶縁層の上部に接して形成された無機材料からなる第三の絶縁層と、を含んでなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/312 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/312 N ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 S

F-Term (75)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK28 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT01 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX01 ,  5F033XX14 ,  5F033XX25 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD02 ,  5F058AD09 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 集積回路絶縁体及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345669   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置、その製造方法及び層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-220175   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229708   Applicant：日本電気株式会社
• 積層絶縁膜とその製造方法および半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211501   Applicant：ソニー株式会社