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J-GLOBAL ID：200903026689232374

積層絶縁膜とその製造方法および半導体装置とその製造方法

Inventor： 池田 浩一 ,  深沢 正永 ,  鬼頭 英至 ,  長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999211501
Publication number (International publication number)：2001044191
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 有機絶縁膜上に、その有機絶縁膜が損傷することなく、無機的性質を有する低誘電率(比誘電率=3.0以下)な炭素を含むシリコン酸化膜を形成する技術を提供する。【解決手段】 有機絶縁膜11と、この有機絶縁膜11上に形成した炭素を含むシリコン酸化膜12とからなる積層絶縁膜13であり、炭素を含むシリコン酸化膜12はその膜中の8at%以上25at%以下の炭素を含んでいるものである。

Claim (excerpt)：

有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成した炭素を含むシリコン酸化膜とからなることを特徴とする積層絶縁膜。

IPC (9)：

H01L 21/316 ,  C08J 7/04 CEW ,  C08J 7/04 CEZ ,  C08K 3/04 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C08J 7/00 307

FI (11)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  C08J 7/04 CEW M ,  C08J 7/04 CEZ M ,  C08K 3/04 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/312 A ,  C08J 7/00 307 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

F-Term (69)：

4F006AA18 ,  4F006AA31 ,  4F006AA39 ,  4F006AA42 ,  4F006AB39 ,  4F006AB54 ,  4F006BA16 ,  4F006CA08 ,  4F006DA04 ,  4F006EA01 ,  4F006EA05 ,  4F073AA06 ,  4F073BA33 ,  4F073BA49 ,  4F073BA52 ,  4F073BB01 ,  4F073CA49 ,  4F073DA01 ,  4F073DA05 ,  4J002CP031 ,  4J002DA016 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ05 ,  5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR12 ,  5F033RR20 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AA10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AE05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-019689   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-099387   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の保護膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238518   Applicant：日本電気株式会社
• 多層配線構造の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-045649   Applicant：東京応化工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-251655   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-069181   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-337709   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭63-143847
  
• 配線構造体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-075519   Applicant：松下電器産業株式会社