Pat
J-GLOBAL ID:200903009900787424
量子演算素子および集積回路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999223812
Publication number (International publication number):2001053270
Application date: Aug. 06, 1999
Publication date: Feb. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 極低温にすることなく電子をドナー原子核近傍に束縛できる製作が容易な量子演算素子を提供する。【解決手段】 シリコン単結晶微粒子24〜27は、シリコン基板21上に酸化シリコン膜22を介してを略等間隔に配置されており、中にはドナー原子としてリン原子32〜35が含まれている。こうして、各シリコン単結晶微粒子24〜27半径を5nm程度に小さくすることによって、極低温状態にすることなく電子をドナー原子核の近傍に束縛することができる。また、シリコン単結晶微粒子24〜27の夫々で構成される各セルの位置は機械的形状で決まるため、従来のフォトリソグラフィ技術や自己整合技術を用いて金属電極28〜31の夫々を各ドナー原子32〜35上に容易に形成できる。延いては、量子演算素子自体を容易に製作できる。
Claim (excerpt):
基板上に形成された第1絶縁膜と、上記第1絶縁膜上に配置されたシリコン単結晶微粒子と、上記第1絶縁膜上に、上記シリコン単結晶微粒子を挟んで形成された第2絶縁膜と、上記第2絶縁膜上における少なくとも上記シリコン単結晶微粒子の位置に形成された金属電極を備えて、上記シリコン単結晶微粒子の中に不純物としてリン原子を含んでいることを特徴とする量子演算素子。
IPC (3):
H01L 29/66
, H01L 29/06
, H01L 29/16
FI (3):
H01L 29/66
, H01L 29/06
, H01L 29/16
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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特開昭62-273713
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量子演算素子および量子演算器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-070513
Applicant:工業技術院長, 福見俊夫
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量子演算素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-143212
Applicant:ソニー株式会社
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原子スケールの3ドット計算素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-205596
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-157613
Applicant:科学技術庁金属材料技術研究所長
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量子コンピュータ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-189283
Applicant:富士通株式会社
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半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-158957
Applicant:株式会社東芝
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