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J-GLOBAL ID：200903010153815560

半導体装置の製造方法

Inventor：
南部 英高

About 南部 英高


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 工藤 実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001057407
Publication number (International publication number)：2002261082
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】有機絶縁膜のエッチングの微細化のために、直交性エッチングを行う技術を確立する。【解決手段】有機層間膜4の上面側にハードマスク3を形成し、そのパターン8,9に対応して有機層間膜4をエッチングすることにより第2パターン11,12を形成する。有機層間膜4をエッチングするに当り、エッチングのためのガスを用いること、ガスに第1圧力を与えて第1エッチングを実行すること、そのガスに第2圧力を与えて第2エッチングを実行すること、その第2圧力は第1圧力よりも低く、その第1エッチングは第2エッチングよりも時間的に先行している。ガスはN2ガスを含む。この場合、N2ガスに第1濃度を与えて第1エッチングを実行し、そのN2ガスに第2濃度を与えて第2エッチングを実行する。第2濃度は第1濃度よりも低い。ガス圧とN2濃度を変更することにより、直交性が優れた溝を有機層間膜4に形成することができる。
Claim (excerpt)：
有機層間膜の上面側にハードマスクを形成すること、前記ハードマスクの上面側にパターンが形成されたレジスト層を形成すること、前記ハードマスクを前記パターンに対応してエッチングすることにより前記ハードマスクに第1パターンを形成すること、前記第1パターンに対応して前記有機層間膜をエッチングすることにより第2パターンを形成すること、前記有機層間膜をエッチングすることは、前記エッチングのためにガスを用いること、前記ガスに第1圧力を与えて第1エッチングを実行すること、前記ガスに第2圧力を与えて第2エッチングを実行することとを備え、前記第2圧力は前記第1圧力よりも低く、前記第1エッチングは前記第2エッチングよりも時間的に先行している半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/302 A ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 V
F-Term (32)：
5F004AA01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F033MM01 ,  5F033MM29 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX25 ,  5F033XX34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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